Memoria Ddr3 8Gb Para Notebook 1600Mhz Kingston 1.5v NÃO É L
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### Memória RAM Kingston KVR16LS11/8
#### Características
- **Marca:** Kingston
- **Modelo:** KVR16LS11/8
#### Especificações Técnicas
- **Latência CL (IDD):** 11 ciclos
- **Tempo de Ciclo de Linha (tRCmin):** 48.125 ns (mínimo)
- **Tempo de Comando de Atualização para Ativo/Atualização (tRFCmin):** 260 ns (mínimo)
- **Tempo Ativo de Linha (tRASmin):** 35 ns (mínimo)
- **Consumo de Energia:** 2.376 W* UL
- **Classificação de Segurança:** 94 V - 0
- **Temperatura de Operação:** 0°C a 85°C
- **Temperatura de Armazenamento:** -55°C a +100°C
*O consumo de energia pode variar conforme a memória RAM em uso.
#### Tensão e Latência
- **Tensão Padrão JEDEC:**
- 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- **Frequência:** 800 MHz fCK para 1600 Mb/sec/pin
- **Bancos Internos:** 8 bancos independentes
#### Latência Programável
- **Latência CAS Programável:** 11, 10, 9, 8, 7, 6
- **Latência Programável Adicional:** 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
- **Pré-carregamento de 8 bits**
#### Outras Características
- **Burst Length:** 8 (interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente em tempo real usando A12 ou MRS
- **Data Strobe:** Diferencial bi-direcional
- **Auto Calibração Interna:** Através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- **Terminação no Die:** Usando o pino ODT
- **Período Médio de Atualização:**
- 7.8 us a temperaturas inferiores a 85°C
- 3.9 us entre 85°C e 95°C
- **Reset Assíncrono PCB:** Altura de 30 mm (1.180 in), com componentes em ambos os lados
#### Características
- **Marca:** Kingston
- **Modelo:** KVR16LS11/8
#### Especificações Técnicas
- **Latência CL (IDD):** 11 ciclos
- **Tempo de Ciclo de Linha (tRCmin):** 48.125 ns (mínimo)
- **Tempo de Comando de Atualização para Ativo/Atualização (tRFCmin):** 260 ns (mínimo)
- **Tempo Ativo de Linha (tRASmin):** 35 ns (mínimo)
- **Consumo de Energia:** 2.376 W* UL
- **Classificação de Segurança:** 94 V - 0
- **Temperatura de Operação:** 0°C a 85°C
- **Temperatura de Armazenamento:** -55°C a +100°C
*O consumo de energia pode variar conforme a memória RAM em uso.
#### Tensão e Latência
- **Tensão Padrão JEDEC:**
- 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- **Frequência:** 800 MHz fCK para 1600 Mb/sec/pin
- **Bancos Internos:** 8 bancos independentes
#### Latência Programável
- **Latência CAS Programável:** 11, 10, 9, 8, 7, 6
- **Latência Programável Adicional:** 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
- **Pré-carregamento de 8 bits**
#### Outras Características
- **Burst Length:** 8 (interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente em tempo real usando A12 ou MRS
- **Data Strobe:** Diferencial bi-direcional
- **Auto Calibração Interna:** Através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- **Terminação no Die:** Usando o pino ODT
- **Período Médio de Atualização:**
- 7.8 us a temperaturas inferiores a 85°C
- 3.9 us entre 85°C e 95°C
- **Reset Assíncrono PCB:** Altura de 30 mm (1.180 in), com componentes em ambos os lados
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