[Capacidade]
- 4 GB
[Layout]
- Módulo de 2 lados de chips(8 x 128 MB, 4 por lado)
[Clock]
- Taxa de transferência PC3-10600
- Até 1333MHz
[Informações Adicionais]
- 8 bancos internos independentes
- Latência CAS programável: 9, 8, 7, 6
- Latência aditiva programavel: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
- CAS Write Latency(CWL, latência CAS de gravação ) programável = 7 (DDR3-1333)
- Pré-busca de 8-bit
- Comprimento de Burst: 8 (Intervalo, sem qualquer limite, seqüencial com o endereço inicial de apenas "000"), 4 com tCCD = 4, que da condição de perfeita ler ou escrever [ou em tempo real usando A12 ou MRS]
- Data Strobe diferêncial bi-direcional
- Calibração interna (automática): calibração interna automática através de ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
- On Die Termination usando ODT pin
- Periodo de atualização médio de 7.8 microsegundos, inferior no TCASE 85°C, 3.9 microsegundos em 85°C < TCASE < 95°C
- Reset asincrônico
